一种电荷自恢复驻极体薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种电荷自恢复驻极体薄膜的制备方法，包括S1：利用热压印方法在第一薄膜或者第二薄膜上压印出规则的凹陷图案；第一薄膜是指在电晕极化后保持负电荷的高分子薄膜，第二薄膜是指在电晕极化后保持正电荷的高分子薄膜；S2：利用电晕极化方法对第一薄膜或者第二薄膜进行极化处理后，使得第一薄膜或者所述第二薄膜带上电荷，并将第一薄膜和所述第二薄膜吸附在一起；S3：采用热压成膜方法对吸附在一起的第一薄膜和第二薄膜进行热压融化处理，形成上层为第一薄膜下层为第二薄膜且中间有孔洞结构的复合驻极体薄膜；S4：利用负高压电晕极化方法对复合驻极体薄膜进行极化处理后，使得复合驻极体薄膜保持电荷；复合驻极体薄膜所保持的电荷在受到外界干扰时，其保持的电荷会消失，当外界干扰消失后，复合驻极体薄膜又能吸附外界的电荷。