公开/公告号CN104821721B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 英特赛尔美国有限公司;
申请/专利号CN201510057249.0
发明设计人 G·卢夫;
申请日2015-02-04
分类号H02M3/156(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人李玲
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:24:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-05
授权
授权
2017-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/156 申请日:20150204
实质审查的生效
2017-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 3/156 申请日:20150204
实质审查的生效
2015-08-05
公开
公开
2015-08-05
公开
公开
机译: 用于低压差(LDO)稳压器中增强瞬态响应的半导体结构
机译: 用于低压降(LDO)电压调节器的瞬态响应增强的半导体结构
机译: 低压差稳压器(LDO),具有频率依赖性电阻装置,用于极点跟踪补偿