公开/公告号CN105355542B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 南京国盛电子有限公司;
申请/专利号CN201510747029.0
申请日2015-11-05
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/8222(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人陈静
地址 211100 江苏省南京市江宁区正方中路166号
入库时间 2022-08-23 10:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-11
授权
授权
2016-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20151105
实质审查的生效
2016-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20151105
实质审查的生效
2016-02-24
公开
公开
2016-02-24
公开
公开
机译: 采用至少一种调制掺杂量子阱结构和一个或多个刻蚀停止层以精确形成接触的半导体器件的制造方法
机译: 采用至少一种调制掺杂量子阱结构和一个或多个刻蚀停止层以精确形成接触的半导体器件的制造方法
机译: 采用至少一种调制掺杂量子阱结构和一个或多个刻蚀停止层以精确形成接触的半导体器件的制造方法