一种基于铌酸锂的PM-QPSK集成光调制器及其工作方法

摘要

本发明涉及一种基于铌酸锂的PM‑QPSK集成光调制器及其工作方法。所述集成光调制器，包括上电极、下电极、衬底和铌酸锂晶体；铌酸锂晶体上按光路方向依次刻有偏振解复用器、两路并联的IQ调制器和偏振复用器；上电极和下电极分别设置在铌酸锂晶体上表面和衬底下面；所述偏振解复用器和偏振复用器分别为基于MZI的铌酸锂偏振解复用器和基于MZI的铌酸锂偏振复用器。本发明所述集成光调制器，基于铌酸锂的双折射效应制成铌酸锂偏振解复用器和偏振复用器，改变以往基于硅基制作偏振复用器的传统，将基于硅基的偏振解复用器和偏振复用器与IQ调制器集成于同一块晶体上；工艺容差远小于硅基工艺。