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用于等离子体溅射的与旋转磁控管结合的磁体阵列

摘要

辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置,该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管,其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42),外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体,且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。

著录项

  • 公开/公告号CN1324641C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料有限公司;

    申请/专利号CN02822495.7

  • 发明设计人 P·丁;R·陶;Z·徐;

    申请日2002-11-07

  • 分类号H01J37/34(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-07-04

    授权

    授权

  • 2005-06-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-13

    公开

    公开

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