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基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用

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本发明涉及基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用，所述半导体铁电场效应异质结构包括以铌镁酸铅钛酸铅铁电单晶作为衬底和以形成于所述衬底上的二氧化钛半导体薄膜作为沟道，所述二氧化钛半导体薄膜的化学通式为TiO

著录项

公开/公告号CN105762197B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;
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申请/专利号CN201610216788.9
发明设计人郑仁奎;陈蕾;李效民;
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申请日2016-04-08
分类号
代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2022-08-23 10:23:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-08

授权

授权
2016-08-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/80 申请日:20160408

实质审查的生效
2016-08-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/80 申请日:20160408

实质审查的生效
2016-07-13

公开

公开
2016-07-13

公开

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