硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件层衬底形成空腔，布拉格反射层位于空腔正上方，辅助层作为功能层图形化的辅助层和功能层并列设置在晶种层之上。本发明的谐振器通过布拉格反射层与空腔型结构的有机结合，可最大限度地抑制声波损耗，提高器件的性能。