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High coupling piezoelectric thin films of Pb(Zr,Ti)O-3-based ternary perovskite compounds for GHz-range film bulk acoustic resonators

机译:用于GHz范围薄膜体声谐振器的Pb(Zr,Ti)O-3-基三元钙钛矿化合物的高耦合压电薄膜

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摘要

We have deposited nearly stress-free single-crystal thin films of (001) Pb(Mn, Nb)O3–Pb(Zr, Ti)O3 (PMnN-PZT) on (001)MgO substrates by rf-magnetron sputtering using a quenching process after the film growth. It is found that single c-domain/single-crystal thin films of PMnN-PZT containing 5%–10% PMnN show a strong hard ferroelectric response with 2Ec ≅ 400 kV/cm and Ps ≅ 70 μC/cm2. GHz-range film bulk acoustic resonators incorporating PMnN-PZT thin films have been fabricated with microelectromechanical system technology. The maximum electromechanical coupling coefficient kt and mechanical quality factor Qm were 0.7 and 185 in the 4 GHz range, respectively.
机译:我们已经通过淬火的射频磁控溅射在(001)MgO衬底上沉积了几乎无应力的(001)Pb(Mn,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3(PMnN-PZT)单晶薄膜。电影成长后的过程。发现含有5%–10%PMnN的PMnN-PZT的单c畴/单晶薄膜在2Ec≅400 kV / cm和Ps≅70μC/ cm2时显示出强硬铁电响应。结合了PMnN-PZT薄膜的GHz范围薄膜体声谐振器已经通过微机电系统技术进行了制造。在4 GHz范围内,最大机电耦合系数kt和机械品质因数Qm分别为0.7和185。

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