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13族氮化物复合基板、半导体元件及13族氮化物复合基板的制造方法

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摘要

本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×10

著录项

  • 公开/公告号CN105229778B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日本碍子株式会社;

    申请/专利号CN201480025003.9

  • 发明设计人 仓冈義孝;市村干也;岩井真;

    申请日2014-05-30

  • 分类号

  • 代理机构北京旭知行专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王轶

  • 地址 日本国爱知县

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-11

    授权

    授权

  • 2016-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/338 申请日:20140530

    实质审查的生效

  • 2016-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/338 申请日:20140530

    实质审查的生效

  • 2016-01-06

    公开

    公开

  • 2016-01-06

    公开

    公开

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