生长在玻璃衬底上的GaN薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。