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一种聚吡咯膜的制备方法及其超级电容性能

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本发明涉及一种聚吡咯膜及其制备方法和应用，所述聚吡咯膜在波长为320、440、463和540 nm处有吸收峰；所述聚吡咯膜的红外光谱的特征吸收，为1545 cm^–1、1466 cm^–1、1305 cm^–1、1182 cm^–1、1092 cm^–1、1043 cm^–1、915 cm^–1、787 cm^–1、和678 cm^–1。本发明还提供所述聚吡咯膜的制备方法。聚吡咯膜的用途，用于工作电极和超级电容器。本发明所合成的大尺寸、自持聚吡咯薄膜，不仅适合于研究聚吡咯膜的力学、电子学和光学等基本物化性质；而且方便裁剪，适用于组装柔性超级电容器或电池。

著录项

公开/公告号CN106398207B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-30

原文格式PDF
申请/专利权人齐鲁工业大学;
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申请/专利号CN201610967270.9
发明设计人盖利刚;白娜娜;班青;
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申请日2016-10-28
分类号C08L79/04(20060101);C08J5/18(20060101);H01G11/48(20130101);
代理机构
代理人
地址 250353 山东省济南市长清区大学路西部新城大学科技园
入库时间 2022-08-23 10:22:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-30

授权

授权
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C08L79/04 申请日:20161028

实质审查的生效
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 79/04 申请日:20161028

实质审查的生效
2017-02-15

公开

公开
2017-02-15

公开

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