具有含锗的释放层的III-V族化合物和锗化合物纳米线悬置

摘要

一种器件包括：衬底层；限定nFET(n型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第一集合；限定pFET(p型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第二集合；第一悬置纳米线，至少部分地悬置在nFET区域中的衬底层之上并且由III‑V族材料制成；以及第二悬置纳米线，至少部分地悬置在pFET区域中的衬底层之上并且由含锗材料制成。在一些实施例中，通过在含锗的释放层的顶部上添加合适的纳米线层并且随后移除含锗的释放层以使得纳米线悬置而制造第一悬置纳米线和第二悬置纳米线。