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具有超分辨率近场结构的高密度记录介质

摘要

提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲,提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质,其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层,其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/62 授权公告日:20070516 终止日期:20140924 申请日:20030924

    专利权的终止

  • 2007-05-16

    授权

    授权

  • 2005-12-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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