公开/公告号CN1316455C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-05-16
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所;
申请/专利号CN03822852.1
申请日2003-09-24
分类号
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人郭鸿禧
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 08:59:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/62 授权公告日:20070516 终止日期:20140924 申请日:20030924
专利权的终止
2007-05-16
授权
授权
2005-12-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-19
公开
公开
机译: 使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩模层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质
机译: 使用高熔点金属氧化物或硅氧化物面膜层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质
机译: 使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩模层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质