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集成电路的预金属化电介质或层间电介质层中的接触结构

摘要

一种集成电路包括源漏区、与该源漏区相邻的沟道区、在该沟道区之上延伸的栅极结构以及在该栅极结构的一侧上并且在该源漏区之上延伸的侧壁间隔物。提供了与该侧壁间隔物接触并且具有顶表面的电介质层。该栅极结构包括栅极电极和从该栅极电极作为突起延伸到达该顶表面的栅极接触。该栅极电极的侧表面与栅极接触的侧表面相互对准。定位在该栅极电极与该沟道区之间的用于晶体管的栅极电介质层在该栅极电极与该侧壁间隔物之间延伸并且进一步在该栅极接触与该侧壁间隔物之间延伸。

著录项

  • 公开/公告号CN106252326B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体公司;

    申请/专利号CN201511021020.8

  • 发明设计人 J·H·张;

    申请日2015-12-30

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国得克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-18

    授权

    授权

  • 2017-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20151230

    实质审查的生效

  • 2017-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20151230

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    公开

    公开

  • 2016-12-21

    公开

    公开

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