退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109273428A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体公司;
申请/专利号CN201811384759.9
发明设计人 J·H·张;
申请日2015-12-30
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国得克萨斯州
入库时间 2024-02-19 07:41:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20151230
实质审查的生效
2019-01-25
公开
机译: 集成电路的金属化,预金属化电介质或层间电介质层中的通孔,沟槽或接触结构
机译: 集成电路的预金属化电介质或层间电介质层中的自对准的自下而上的栅极接触和自上而下的源漏接触结构
机译:集成电路的层间电介质中Cu迁移引起的介电失效的电场依赖性
机译:集成电路预金属电介质中的纳米机械缺陷成像
机译:电介质-硅-电介质结构中薄硅层中电子迁移率的特征
机译:低κ电介质和蚀刻停止层中的缺陷,用作ULSI中的层间电介质
机译:表征和定制用于层间电介质应用的多孔溶胶-凝胶电介质。
机译:氮中溅射TiO2 / ZrO2双层复合电介质的结构和电性能
机译:四层电介质条带中的极高的法拉第和克尔旋转和非凡的光学传输 - 电介质 - BI:yig平面结构
机译:用于导电介质中湍流边界层的主动电磁控制的壁层微湍流现象学和马尔可夫概率模型