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一种恒流二极管结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法,在N型外延层中增设P型发射区,N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管,P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管,由此,单位面积电流大幅提高,并且器件的温度稳定性和均匀性较好。

著录项

  • 公开/公告号CN105551969B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都士兰半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201610082486.7

  • 发明设计人 王英杰;

    申请日2016-02-05

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人余毅勤

  • 地址 610404 四川省成都市金堂县成都-阿坝工业集中发展区内

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-11

    授权

    授权

  • 2018-05-29

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/337 登记生效日:20180509 变更前: 变更后: 申请日:20160205

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-05-29

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/337 登记生效日:20180509 变更前: 变更后: 申请日:20160205

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/337 申请日:20160205

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/337 申请日:20160205

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/337 申请日:20160205

    实质审查的生效

  • 2016-05-04

    公开

    公开

  • 2016-05-04

    公开

    公开

  • 2016-05-04

    公开

    公开

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