首页> 中国专利> 一种多层空心二氧化锡花状纳米片表面生长三氧化二铁纳米棒的制备方法

一种多层空心二氧化锡花状纳米片表面生长三氧化二铁纳米棒的制备方法

摘要

本发明是一种在多层空心花状纳米片二氧化锡表面上异质生长三氧化二铁的制备方法,属于纳米材料制备的技术领域,该方法先制备多层空心花状纳米片二氧化锡,然后以多层空心花状纳米片二氧化锡为前驱体,将其分散在水溶液中,加入十水硫酸钠和六水三氯化铁,在一定温度下通过水热反应,使其反应生成三氧化二铁纳米棒的前驱物,并且在制备的多层空心分等级花状纳米片二氧化锡表面上异质生长,通过450度退火2小时,得到多层空心花状纳米片二氧化锡表面上异质生长三氧化二铁的复合材料。本发明提供了一种新型的半导体纳米复合材料制备方法,通过异质复合生长,将二氧化锡和三氧化二铁复合在一起,可以表现出优异的气敏性能。

著录项

  • 公开/公告号CN106904659B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201710175963.9

  • 发明设计人 曾毅;杨鑫;郑伟涛;

    申请日2017-03-23

  • 分类号

  • 代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人朱世林

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    授权

    授权

  • 2017-07-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G49/06 申请日:20170323

    实质审查的生效

  • 2017-07-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 49/06 申请日:20170323

    实质审查的生效

  • 2017-06-30

    公开

    公开

  • 2017-06-30

    公开

    公开

  • 2017-06-30

    公开

    公开

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