一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu₂O/CuI电极的方法

摘要

本发明公开了一种通过阴极还原电沉积和化学沉积制备Cu₂O/CuI电极的方法。该方法通过电沉积来制备Cu₂O薄膜，再将Cu₂O放入KI的弱酸性溶液中化学沉积一层CuI的方法得到Cu₂O/CuI电极。本发明的特点是以阴极还原的方法于乳酸和Cu²⁺络合的碱性混合电解液中，在60℃下进行恒电位电沉积，较短时间内就可在ITO导电玻璃上得到具有金字塔状形貌的Cu₂O薄膜电极。本发明使用的原料成本低廉，设备简单，操作简便快速，同时具有环境友好等优点。