实现更小线宽的光刻工艺

摘要

本发明公开了一种实现更小线宽的光刻工艺，包括：提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶；利用第一光刻机对所述氧化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶；利用第二光刻机的层间对准技术，并根据所需线宽设置套刻精度偏移量；根据该套刻精度偏移量在氧化硅层和氮化硅层表面涂覆光刻胶；对所述曝光图形进行第二次曝光，形成新的曝光图形；刻蚀新的曝光图形，并去除光刻胶；去除衬底上的氧化硅层和氮化硅层，形成多晶硅图形。本发明可以在不使用精度更高光刻机的前提下，可以得到更小线宽的图形，进而降低了生产成本。