首页> 中国专利> 一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法

一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法

摘要

本发明是一种基于CdSe/CdS量子点及其量子限制斯塔克器件的制备方法。其量子点的制备在高温下通过恒流泵混合注入前驱体来完成,该方法新颖简单,能够得到纯纤锌矿相的、non‑blinking的CdSe/CdS量子点;器件制作在石英衬底上,通过涂胶、曝光、显影、蒸镀、清洗等过程得到周期性的交叉电极结构,电极采用Au来蒸镀,各电极间距离为2μm,并在倒置显微镜下利用白光光源测量该结构上的量子点在通上电压前后的透射谱变化。

著录项

  • 公开/公告号CN105487264B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201511019319.X

  • 发明设计人 张家雨;樊恺;廖晨;

    申请日2015-12-29

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人柏尚春

  • 地址 210096 江苏省南京市四牌楼2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:20:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-09

    授权

    授权

  • 2016-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/017 申请日:20151229

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/017 申请日:20151229

    实质审查的生效

  • 2016-04-13

    公开

    公开

  • 2016-04-13

    公开

    公开

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