校正后道寄生互连线模型的方法

摘要

本发明的校正后道寄生互连线模型的方法，包括：设计环形振荡器电路，设计MOS器件测试结构，对MOS器件进行mapping测试，校正MOS器件Spice模型，基于MOS器件的测试数据的统计特性，选取用于环形振荡器mapping测试的晶片组；测试无负载的和有电容负载的环形振荡器得到振荡频率，将振荡频率转化为单级反相器的延时；线性拟合延时测试数据和环形振荡器的负载个数；仿真无负载和不同电容负载的环形振荡器，得到单级反相器延时，线性拟合延时仿真数据和环形振荡器的负载个数，基于拟合结果的截距校正中道寄生电容相关参数；基于拟合结果的斜率校正后道互连线寄生电容类型参数，更新ITF文件；仿真电容电阻负载的环形振荡器，校正后道互连线寄生电阻类型参数，更新ITF文件。