使用单刀三掷开关减少LNA旁路模式插入损耗的RF前端模块

摘要

一种具有拥有旁路模式的低噪声放大器LNA的微波射频RF前端模块FEM使用单刀三掷RF开关，所述单刀三掷RF开关将插入损耗减少到约1dB且借此相对于现有技术的两个串联连接的单刀双掷RF开关改进RF接收器敏感度。所述单刀三掷RF开关可为可布置有共同源极输入及经隔离独立漏极输出的三个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET RF开关。所述RF开关可为单栅极、双栅极或三栅极MOSFET RF开关。所述MOSFET RF开关还可配置为互补金属氧化物半导体CMOS场效应晶体管FET RF开关。