ReRAM单元中的场聚集特征部

摘要

本发明涉及ReRAM单元中的场聚集特征部。电阻式随机存取存储器（ReRAM）单元（401）包括第一导电电极（107）和在所述第一导电电极之上的电介质存储材料层。所述电介质存储材料层（109）在将细丝形成电压施加到所述单元期间有助于导电细丝的形成。所述单元包括在所述电介质存储材料层之上的第二导电电极（301）以及包括不通过光刻限定的多个散置的场聚集特征部（407）的界面区域。所述界面区域位于所述第一导电电极和所述电介质存储材料层之间或位于所述电介质存储材料层和所述第二导电电极之间。