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自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置

摘要

一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置,用于材料表面改性领域。本发明包括:注入元素蒸发系统,注入元素导入系统,离化和注入或者注入且沉积系统,真空系统,注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统,注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统,离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染;利用自辉光产生等离子体,不再需要额外的等离子激发装置,节约成本,利用空心阳极,大面积阴极技术形成聚焦电场,电子向阳极的聚焦,提高了辉光放电的离化率,提高了注入或者注入且沉积的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN1296515C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN200410018294.7

  • 发明设计人 李刘合;蔡珣;陈秋龙;朱剑豪;

    申请日2004-05-13

  • 分类号C23C14/48(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟;王桂忠

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/48 授权公告日:20070124 申请日:20040513

    专利权的终止

  • 2007-01-24

    授权

    授权

  • 2005-03-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-01-26

    公开

    公开

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