公开/公告号CN106255316B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 信丰共赢发展电子有限公司;
申请/专利号CN201610686816.3
发明设计人 关松生;
申请日2016-08-17
分类号H05K1/03(20060101);H05K1/02(20060101);
代理机构36129 南昌赣专知识产权代理有限公司;
代理人刘锦霞
地址 341600 江西省赣州市信丰县工业园(旺通达园区)
入库时间 2022-08-23 10:18:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-02
授权
授权
2018-09-11
专利申请权的转移 IPC(主分类):H05K 1/03 登记生效日:20180823 变更前: 变更后: 申请日:20160817
专利申请权、专利权的转移
2018-09-11
专利申请权的转移 IPC(主分类):H05K 1/03 登记生效日:20180823 变更前: 变更后: 申请日:20160817
专利申请权、专利权的转移
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K1/03 申请日:20160817
实质审查的生效
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K1/03 申请日:20160817
实质审查的生效
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 1/03 申请日:20160817
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
2016-12-21
公开
公开
2016-12-21
公开
公开
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机译: 一种改进的深孔堆焊系统,用于在阀体的深孔和深孔内沉积恒星焊接金属
机译: 基于pbo-b深2 o深3-(sio深2-al深2 o深3)的复合钝化玻璃,热膨胀系数(200-300摄氏度)在40至60.10之间高-7 /°硅的C-熔化温度不超过600摄氏度的半导体组件。
机译: 基于pbo-b深2 o深3-(sio深2-al深2 o深3)的复合钝化玻璃,热膨胀系数(200-300摄氏度)在40至60.10之间高-7 /°硅的C-熔化温度不超过600摄氏度的半导体组件。