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高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法

摘要

本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来,高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜,其组成包括:纯聚偏氟乙烯层(1)、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层(2),其特征是:所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN105235343B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨理工大学;

    申请/专利号CN201510710127.7

  • 发明设计人 翁凌;鞠培海;刘立柱;张笑瑞;

    申请日2015-10-28

  • 分类号B32B27/30(20060101);B32B27/18(20060101);B32B33/00(20060101);

  • 代理机构23118 哈尔滨东方专利事务所;

  • 代理人陈晓光

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

  • 入库时间 2022-08-23 10:18:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-12

    授权

    授权

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):B32B27/30 申请日:20151028

    实质审查的生效

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):B32B 27/30 申请日:20151028

    实质审查的生效

  • 2016-01-13

    公开

    公开

  • 2016-01-13

    公开

    公开

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