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利用激光制备的纳米沟槽调控细胞定向排列的方法

摘要

一种利用激光制备的纳米沟槽调控细胞定向排列的方法,选用通用的医用聚合物材料作为细胞培养基质,采用激光扫描辐射的方法,对培养基质表面进行处理,使其形成微米/纳米或亚微米/纳米表面沟槽结构,然后对细胞培养基质进行消毒处理,选择生长状态良好的贴壁依附型生长的细胞,胰酶消化后,以一定的密度,均匀接种于培养基质表面后进行培养。由于培养基质表面沟槽形貌对细胞生长的调控作用,使细胞沿着微沟槽的方向定向生长和排列。本发明工艺简单,可操作性强,适合于多种细胞生物学基础研究、生物传感器或功能器件的制作以及医学植入体、组织工程等研究和应用中要求调控细胞定向生长的各个领域。

著录项

  • 公开/公告号CN1298842C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN200410084562.5

  • 申请日2004-11-25

  • 分类号C12N5/00(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人毛翠莹

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-02-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C12N 5/00 授权公告日:20070207 终止日期:20091225 申请日:20041125

    专利权的终止

  • 2007-02-07

    授权

    授权

  • 2005-09-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-13

    公开

    公开

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