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DLC覆膜的成膜方法

摘要

[课题]本发明能够无需恒温装置之类的大型设备、腔室内的气体压力为低压时成膜速度也不下降地制造硬度及密合性优异的DLC覆膜。[解决手段]本发明提供DLC覆膜的成膜方法,其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法,将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压,作为供给于腔室内的成膜气体使用乙炔气体或甲烷气体,并且对于腔室内的气体的总压,在使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下,使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下,前述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-28

    授权

    授权

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/27 申请日:20141031

    实质审查的生效

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20141031

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

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  • 2016-06-22

    公开

    公开

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