法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-25
授权
授权
2016-09-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20160325
实质审查的生效
2016-09-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 13/00 申请日:20160325
实质审查的生效
2016-08-17
公开
公开
2016-08-17
公开
公开
机译: 用于超扭曲向列型薄膜晶体管LCD的半导体存储设备,具有写位线分频器,该写位线分频器根据块划分控制信号将位单元阵列块的只写位线连接在一起
机译: 相变存储器的制造方法和相变存储器的初始化方法
机译: 使用写参考电压在相变存储器中写多个电平,写参考电压在写周期内逐渐增加