法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-18
授权
授权
2016-10-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/094 申请日:20160418
实质审查的生效
2016-10-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/094 申请日:20160418
实质审查的生效
2016-09-07
公开
公开
2016-09-07
公开
公开
机译: 防篡改非易失性存储器件,包括运算电路,该运算电路在操作中基于至少一部分电阻值信息来计算二进制参考值;读电路,在操作中基于该电阻值信息来选择性地分配二进制参考值,每个电阻值信息的两个值之一以及在操作中执行与存储单元中两个值之一相对应的写操作的写电路
机译: 一种超导薄膜的表面电阻的测量方法,一种超导薄膜的表面电阻的测量方法,一种超薄薄膜共振电路的Q值的测量方法,一种用于超导薄膜的超导体的表面电阻的测量方法以及一种方法
机译: 制造由至少一个低压型场效应晶体管和饱和电阻组成的逻辑电路的集体方法,以及通过这种方法实现的逻辑电路