一种高性能GaAs激光电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种高性能GaAs激光电池的制作方法，包括在半绝缘GaAs基板上生长化合物半导体GaAs材料；制作P型电极，正胶光刻，显影烘烤；等离子清洗，Ti/Pt/Au溅射；浸泡超声剥离，退火；正胶光刻，显影、烘烤；N型槽腐蚀至N型吸收层上表面；采用同等条件N型电极进行AuGeNi合金和Au溅射；丙酮浸泡和超声正胶剥离，快速退火；制作隔离槽，正胶光刻，显影、烘烤；隔离槽腐蚀至GaAs外延片半绝缘衬底层上表面，去胶；正胶高浓度层光刻，显影、烘烤；高浓度层腐蚀至完毕；SiO₂减反膜淀积；丙酮浸泡和超声正胶剥离；Au溅射；正胶光刻，显影、烘烤、腐蚀；化学抛光、减薄、划片，即完成GaAs激光电池的制作。本发明电极体电阻显著减小，整体串联电阻降低，电池输出功率高。