公开/公告号CN105580146B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 传感器电子技术股份有限公司;
申请/专利号CN201480052198.6
申请日2014-09-23
分类号H01L33/32(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人申发振
地址 美国南卡罗来纳
入库时间 2022-08-23 10:17:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-21
授权
授权
2016-11-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/32 申请日:20140923
实质审查的生效
2016-11-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20140923
实质审查的生效
2016-05-11
公开
公开
2016-05-11
公开
公开
机译: 光电子器件的III族氮化物异质结构
机译: 光电子器件的III族氮化物异质结构
机译: 光电子器件的III族氮化物异质结构