法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-14
授权
授权
2015-05-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20130422
实质审查的生效
2015-05-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20130422
实质审查的生效
2013-10-30
公开
公开
2013-10-30
公开
公开
机译: 包括应力邻近效应的集成电路器件及其制造方法
机译: 光学邻近效应校正方法,光学邻近效应校正装置,光学邻近效应校正程序,制造半导体装置的方法,图案设计限制开发方法和光学邻近效应校正的计算方法
机译: 光学邻近效应校正方法和装置,光学邻近效应验证方法和装置,曝光掩模的制造方法,进一步的光学邻近效应校正程序和光学邻近效应验证程序