公开/公告号CN1311508C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-04-18
原文格式PDF
申请/专利权人 瓦里安半导体设备联合公司;K2科勒咨询有限责任公司;
申请/专利号CN01821377.4
发明设计人 约翰·H·凯勒;
申请日2001-11-20
分类号H01J37/30(20060101);H01J37/317(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人顾晋伟;刘继富
地址 美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 08:59:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-04-18
授权
授权
2005-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-01-12
公开
公开
机译: 离子束产生方法和用于执行该离子束产生装置的离子束产生装置
机译: 用于产生试样的聚焦离子束装置,具有聚焦离子束管,该聚焦离子束管用于利用聚焦离子束辐照试样,其中,在俯视图中管的离子束的照射方向相反。
机译: 一种使用离子束的制造装置,该装置可使多级调制离子束能量产生,并且提供了一种制造方法