法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-14
授权
授权
2017-08-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/50 申请日:20150610
实质审查的生效
2017-08-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 33/50 申请日:20150610
实质审查的生效
2016-02-10
公开
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2016-02-10
公开
公开
2016-02-10
公开
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机译: 膜的结构。用于处理内部形成有管状管状物的多个多孔基体的方法,以及将位于单个环中的基体存储到训练D和膜中的方法。具有多个结构的多孔基体的处理方法。提到的在其内部形成管状并在每个基底上排列成单个膜以形成膜的导管通常在单孔中以多种孔的内表面形成沸石膜的导管,模块,方法从一端延伸到另一端并排列成一个环。从含水的有机液体中除去水的方法和纯化含盐或其他污染物的水的方法。
机译: 用于半导体衬底中的垂直多孔结构的微机械制造方法,涉及从半导体衬底的表面构造两个凹部,该结构具有垂直地分离凹部的结构。
机译: 在半导体衬底中制造沟槽的步骤包括:在具有窗口的衬底上布置掩模;电化学蚀刻由窗口暴露的表面;形成多孔衬底;以及去除多孔衬底。