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金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管

摘要

一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管,该制备方法包括:在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域,在光刻胶的保护下,利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽;电子束蒸发下层金属,利用剥离工艺得到下层金属图案;转移石墨烯到透明衬底上,旋涂光刻胶,采用从背面曝光的方式,利用已有的下层金属作为光刻掩模,实现上层金属的自对准图形;沉积金属,自对准地形成金属与石墨烯双面接触结构。本发明的方法可以有效保证上下层金属的对准结构,减小石墨烯和金属之间的接触电阻,从而提高石墨烯电子器件的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105914158B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201610306028.7

  • 申请日2016-05-10

  • 分类号H01L21/60(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 10:16:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-11

    授权

    授权

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20160510

    实质审查的生效

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20160510

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    公开

    公开

  • 2016-08-31

    公开

    公开

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