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一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法

摘要

本发明提供了一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法,包括以下步骤:一、对钼基体依次进行打磨、超声波清洗、流水冲洗和烘干处理;二、对烘干后的钼基体进行离子轰击清洗;三、采用二硫化碳和氩气的混合气体为含硫气体,然后向离子氮化炉内通入含硫气体,对钼基体进行离子渗硫处理,在钼基体的表面得到二硫化钼渗层。本发明采用二硫化碳和氩气的混合气体为含硫气体,通过对离子轰击清洗后的钼表面进行渗硫处理,在钼表面得到组织均匀致密的二硫化钼渗层,能够显著提高钼的耐磨性能。

著录项

  • 公开/公告号CN106381462B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长安大学;

    申请/专利号CN201610838384.3

  • 发明设计人 田晓东;孙志平;王利捷;

    申请日2016-09-21

  • 分类号

  • 代理机构西安创知专利事务所;

  • 代理人谭文琰

  • 地址 710064 陕西省西安市南二环中段33号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    授权

    授权

  • 2017-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C8/36 申请日:20160921

    实质审查的生效

  • 2017-02-08

    公开

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