公开/公告号CN104003352B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201410264566.5
申请日2014-06-13
分类号B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人李仪萍
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 10:14:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-06
授权
授权
2014-09-24
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20140613
实质审查的生效
2014-08-27
公开
公开
机译: 用于气相薄膜生长的腔室晶圆载体中的第四级晶圆负载结构,以及用于相同尺寸的四级晶圆载体的第二级晶圆载体,能够制造具有良好泄漏电流阻塞特性的激光二极管
机译: 发光二极管及晶圆级封装方法,晶圆级键合方法以及晶圆级封装的电路结构
机译: 发光二极管及晶圆级封装方法,晶圆级键合方法以及晶圆级封装的电路结构