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基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构

摘要

本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构,该方法包括步骤:a)提供一垫片、一衬底片及一盖片,于所述垫片中形成芯片封装腔;b)键合所述垫片及所述衬底片;c)将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片;d)提供吸气剂,并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面;e)键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体,将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装,有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构,且具有了圆片级封装的效率;采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度,可降低真空封装的体积;只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装,降低了封装成本。

著录项

  • 公开/公告号CN104003352B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410264566.5

  • 发明设计人 冯飞;张云胜;王跃林;

    申请日2014-06-13

  • 分类号B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人李仪萍

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 10:14:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    授权

    授权

  • 2014-09-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20140613

    实质审查的生效

  • 2014-08-27

    公开

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