该模型是通过对一系列频率及磁密下实测硅钢片损耗,该模型是通过对在一系列频率及磁密下实测硅钢片损耗数据进行分析并结合经典两项式模型的基础上,考虑了磁路饱和导致涡流损耗增加及谐波磁场引起的磁滞损耗增加现象,在涡流和磁滞损耗项中引入4个随磁密和频率分段变化的附加损耗系数而建立模型。且模型中主要系数均随磁密幅值和频率变化;同时,利用该模型能够准确分离由基波及谐波磁场产生的磁滞和涡流损耗,实现铁耗精细化分析。"/>
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-18
专利权的转移 IPC(主分类):G06F17/50 登记生效日:20181228 变更前: 变更后: 申请日:20150909
专利申请权、专利权的转移
2018-06-22
授权
授权
2016-01-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150909
实质审查的生效
2015-12-30
公开
公开
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