磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜

摘要

一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α-BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。