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具有超薄封装的高性能功率晶体管

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摘要

场效应晶体管封装包含具有第一线性厚度(150a)的引线框架和减小厚度的引线框架垫(151)；场效应晶体管芯片(140)的第一端附接到垫以及第二和第三端远离垫；第二线性厚度(1l0a)的金属板(110)连接第二晶体管端至封装端；第三线性厚度(112a)的金属板(112)连接第三晶体管端至封装端；第一线性厚度(约0.125mm)和第二线性厚度(约0.125mm)的总和加上附接材料(约0.05mm)构成封装厚度(约0.3mm)。

著录项

  • 公开/公告号CN102983114B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;

    申请/专利号CN201210374536.0

  • 发明设计人 J·A·和布搜摩;O·J·洛佩兹;J·A·诺奇尔;

    申请日2012-08-21

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-05

    授权

    授权

  • 2014-09-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/495 申请日:20120821

    实质审查的生效

  • 2013-03-20

    公开

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