通过执行三包工艺形成半导体装置的沟道区的方法

摘要

本申请揭示通过执行三包工艺形成半导体装置的沟道区的方法。其中一种示例方法包括：除其它以外，形成定义鳍片的多个沟槽；执行多个外延沉积工艺，以围绕该鳍片的暴露部分形成第一、第二以及第三外延半导体材料层；自该鳍片的上表面上方移除该第一、第二以及第三外延半导体材料层，从而暴露该鳍片；相对该第一、第二以及第三外延半导体材料层选择性移除该鳍片，从而定义由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的两个鳍片结构；以及围绕由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的该鳍片结构的至少其中一个的部分形成栅极结构。