具有改良的辐射耐受性的集成电路

摘要

本发明说明一种具有改良的辐射耐受性的集成电路。该集成电路包括：一基板(102)；一n井(108)，其被形成在该基板上；一p井(106)，其被形成在该基板上；以及一p分接区(202)，其被形成在该p井中相邻于该n井，其中，该p分接区于被形成在该n井中的电路组件和被形成在该p井中的电路组件之间延伸并且被耦合至一接地电位。本发明还说明一种用于形成具有改良的辐射耐受性的集成电路的方法。