基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法，该光电导探测器包括p型硅衬底、二氧化硅隔离层、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极；本发明光电导探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对红外探测响应低的问题；该探测器以石墨烯作为有源层和透明电极，消除死层，增强入射光的吸收；二氧化硅隔离层减少了硅表面态的影响；在较小偏压即可正常工作，掺硼硅量子点层吸收光转化为光生载流子，产生的光生载流子(空穴电子对)在内建电场作用下被分离，能够获得超高的增益；本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。