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一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器及其制备方法

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一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器及其制备方法，包括由下往上依次设置的衬底、n型GaN层、InGaN/GaN量子点结构层和p型GaN层，在p型GaN层的表面上设置有p型GaN欧姆接触结构，在n型GaN层露出的表面上设置有n型GaN欧姆接触结构，所述InGaN/GaN量子点结构层为(InGaN)

著录项

公开/公告号CN106653896B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-18

原文格式PDF
申请/专利权人广东省半导体产业技术研究院;
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申请/专利号CN201710002990.6
发明设计人刘晓燕;陈志涛;刘宁炀;任远;刘久澄;何晨光;张康;赵维;
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申请日2017-01-04
分类号
代理机构广东世纪专利事务所;
代理人刘卉
地址 510651 广东省广州市天河区长兴路363号
入库时间 2022-08-23 10:11:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-18

授权

授权
2017-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20170104

实质审查的生效
2017-05-10

公开

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