机译:1.5-Gbit / s无滤波器光通信链路基于波长选择性半极(20 21)Ingan / GaN微光电探测器
机译:偏光的单片白色半(20-21)INGAN在高质量(20-21)GAN / SAPPHIRE模板上生长的发光二极管及其在可见光通信中的应用
机译:Semipolar(2021)IngaN / GaN微光电探测器,用于千兆 - 每秒可见光通信
机译:高亮度半极性(20(21)over-bar)蓝色InGaN / GaN超发光二极管,用于无下垂的固态照明和可见光通信
机译:基于波长选择半极性(2021)InGaN / GaN微型光电检测器的1.5Gbit / s无滤波器光通信链路
机译:光学建模,MOCVD生长和新型制造技术的半极(20-21)GaN倒装芯片边缘发射激光器结构
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:GaN体衬底上的半极性(11(2)-bar2)GaN和InGaN / GaN量子阱的外延生长和光学性质