一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法

摘要

本发明公开了一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法。本发明首先采用氢氟酸乙醇溶液中电化学刻蚀的方法在N型单晶硅表面制备多孔硅覆盖的倒金字塔结构界面，然后采用碱性溶液浸泡的方法去掉多孔硅层获得倒金字塔结构表面。获得的金字塔结构是由四个{111}晶面构成的倒金字塔结构，其尺寸在0.5‑15um范围内。