公开/公告号CN106663467B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201580035682.2
发明设计人 C·朴;M·G·戈特瓦尔德;K·李;S·H·康;
申请日2015-05-05
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人杨丽
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:11:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-15
授权
授权
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20150505
实质审查的生效
2017-05-10
公开
公开
机译: 用于垂直磁性隧道结(p-MTJ)的合成反铁磁体(SAF)耦合自由层
机译: 垂直磁隧道结(P-MTJ)的合成反铁磁(SAF)耦合自由层
机译: 垂直磁隧道结(P-MTJ)的合成反铁磁(SAF)耦合自由层