GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法，主要解决现有制备方法中GaN基异质结透明薄膜样品在离子减薄时容易造成薄膜减薄过度导致样品制备成功率低的问题。其技术方案是：1.对GaN基异质结薄膜材料和Si片进行切割、清洗；2.将清洗后的样品与Si片进行胶对粘，并在加热台上加热固化；3.将样品截面机械研磨至20～30μm时，采用倾斜磨抛工艺，使Si片一侧出现楔形刃口；4.将样品粘至“∩”形铜环，采用精密离子束减薄设备对其进行离子减薄，直至Si片逐渐消减至粘胶处，完成样品制备。本发明具有省时、高效的特点，可用于表征GaN基异质结透明薄膜的透射电子显微镜微观缺陷结构。