法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-24
授权
授权
2017-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):E21B49/00 申请日:20170420
实质审查的生效
2017-08-29
公开
公开
机译: 一种制造半导体器件的方法,包括产生和退火辐射诱发的晶体缺陷
机译: 一种在有性生殖的栽培植物中诱发顶点缺陷的方法,并将其用于生产完全或部分无营养的植物
机译: 一种在有性生殖的栽培植物中诱发顶点缺陷的方法,并将其用于生产完全或部分无营养的植物